技术研发与设备开发

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以平价上网为目标

26.33%
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世界纪录
使用该技术转换效率已达
平价上网
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产品性价比高
持续降低终端使用成本
制程能耗少
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低温工艺流程
220ºC度以下的低温中进行
HDT太阳电池技术特点

HDT太阳电池技术特点

HDT高效异质结太阳能电池(High efficiency Hetero-junction Double-side Technology Solar Cells),利用PECVD在硅表面绒面形成后的N型单晶硅片正面沉积非常薄的本征硅钝化层和P型硅掺杂层,再在硅片的背表面沉积非常薄的本征硅钝化层和N型硅掺杂层,硅膜层沉积完成之后再利用PVD磁控溅射镀膜技术在电池的正反两面沉积透明氧化物导电薄膜(TCO)及金属叠层,最后利用金属成栅技术在电池的两面同时形成金属电极。

HDT太阳能电池技术优势

◎  低温制程:低温工艺流程,最高不超过220ºC,制程能耗少;

◎  异质结发射极:宽带隙致高短路电流-Isc及高开压Voc,使用此技术的电池片转换效率的世界纪录已达到26.33%;

◎  低温度系数:电池片功率温度系数低于-0.28%/ºC,更适于高温环境发电;

◎  可柔性化应用:电池片的结构适合于使用超薄的硅片作为衬底,未来可实现真正的柔性化;

◎  双面发电:电池片双面吸光,适于制作双玻组件,可增加发电量超过10%以上。


HDT电池硅薄膜工艺研发

◎  HDT电池结构共包含四层硅薄膜,其中P型和N型硅掺杂层分别作为电池的发射极和背电极场构建起电池内部电场,其厚度在5nm左右。在单晶硅片的正反面的本征硅层主要作用是钝化单晶硅表(注:单晶硅表面由于晶体长程有序结构破坏,产生大量界面缺陷),增加少子寿命,减少少子在界面处的复合。

◎  HDT电池中的本征硅层其厚度在10nm以下,一般在5nm左右,而在传统的硅薄膜电池中,本征硅是作为电池的光吸收层,厚度一般在200nm~300nm之间,两者差别在50倍左右。因此,在硅薄膜电池中的光致衰退效应在HDT太阳能电池中不用考虑。

HDT电池效率提升路径

◎  降低光学损失(减少制绒面的反射/减少导电氧化物及非晶硅的吸收/提高栅线电极的高宽比);  

◎  减少表面少子复合速率(优化硅片的清洗工艺/硅片表面的氢原子钝化/高质量的非晶硅薄膜的制备);

◎  减少串联电阻(提高导电氧化物的导电性/减少不同层之间的接触电阻)


独特的硅表面处理技术

◎  使用不含IPA的制绒添加剂,提高了制绒的稳定性,延长了溶液的使用寿命;

◎  去除损伤层的处理,完全消除硅片表面的机械损伤,并有效控制金字塔的尺寸及尺寸分布;

◎  开发了独特的清洗工艺流程,保证了钝化前硅片表面的洁净度;

◎  自主研发了绒面的削尖处理方法,有利于硅薄膜在绒面上的均匀覆盖。


高电导金属成栅工艺

◎  钧石能源引入半导体集成电路技术概念,采用特殊设备完成高电导金属栅线制成,并为客户提供最优工艺,达到设备及运营成本远低于低温银浆工艺。

◎  钧石能源高电导率材料是银浆电导率的10倍,形成的金属栅线易于焊接,线宽可控制在40µm以下。


自主研发稳定高效的PECVD设备

◎  钧石能源拥有自主知识产权的高端PECVD设备,运行稳定、产能高、连续批量化生产重复性好。

◎  PECVD设备采用独特的RF电极设计,辉光电极间隙可调,低功率起辉稳定,载板温度均匀性好,沉积的薄膜厚度均匀。

◎  工艺窗口宽,低功率薄膜钝化后的晶体硅,其少子寿命可接近其本征寿命。


自主研发成熟稳定的高产出PVD设备

◎  钧石能源自主开发的旋转靶PVD双面沉积设备,靶材利用率提高至80%,维护时间减少40%,采用独特的阴极靶座设计,溅射工艺稳定性高重复性好。设备稼动率高达90%以上,每小时产量为3000片。

◎  预热腔室和沉积腔室配有原位加热元件,TCO薄膜沉积温度可至200 ºC,沉积的薄膜厚度均匀性控制在5%内。


技术领先策略

锁定有市场生命力的创新技术,以独创工艺专注新型高效电池;

凝聚有全球影响力的技术团队,世界太阳能领域权威专家领衔; 

中国泉州和日本分设研发中心,汇聚全球顶级资本以持续投入; 

构建有技术含金量的专利体系,自主知识产权专利超过150项。


低成本原则

瞄准终端使用

以持续降低成本为目标

高品质为前提

以技术开启平价上网时代


以技术赢未来

 

在当今光伏应用市场前景越来越光明的大好时代背景下,只有拥有技术创新优势的企业才能真正问鼎天下,才能在世界范围内站在行业的最高峰。

 
以技术赢未来
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